第三百八十四章 MOCVD(3 / 5)

这是一台生长宽禁带半导体的仪器。

顾律在国外见过这种设备。

cvd系统是有些区别的。cvd系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性,所以国内和国外ocvd系统的主要区别在于反应室结构。

在国外,反应室结构大多采用‘turdisc反应’,而国内则是采用‘行星反应’。

两者各有其优劣,说不上谁更好。

cvd,虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构,但在设备的其他组成系统上,应该进行了深层次的优化。

顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼,就得出一个这样的结论。

“张主任,你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧,根据我的推测,这台ocvd不止最多可以同时生长两片15英寸的gan宽禁带半导体?”顾律说出自己的猜测。

张主任竖起大拇指。

“你说的没错。”张主任拍拍设备,语气略带得意的开口,“这台设备买回来后,我就让隔壁机械学院的几位朋友改装了一下。”

“你看着,在这块源供给系统部分,我们加了一个恒温器,可以保证金属化合物一个衡定的蒸气压。”张主任指着仪器前端的加装上去的一个恒温器为顾律介绍。

“还有这。”张主任把顾律领到ocvd的背面,“这块是气体运输系统,原本这里是只有一条管道的。”

“但是我们又增加了一条,这样的话,可以迅速变化反应室内的反应气体,并且还不会引起反应室内压力的变化!”

张主任为顾律详细的介绍了这台设备的改装情况。

site stats