而且，正常旋涂出来的器件性能要比喷涂法制备的器件低2左右，仅为8.33，如果其他人不知道喷涂这个技巧，就会比较难以重复出来这个结果。

第二，基于IDTICIN4F/4Cl/DM这些结构，性能相较于IDTICIN，4F和DM体系有所提高，幅度也不算小，从6.22分别提升到了8.92和8.06，而4Cl体系反而略微降低，至5.77。

第三，学妹的H3x体系，也就是在BDT单元上引入氟原子后，器件的性能并没有提高，反而略微降低。

根据现有的文献，从统计学上来看，BDT上引入氟原子，性能提升的概率大概在20左右，当然的想法是虽然这个概率不高，但也值得尝试，现在扑街了，也没什么大不了的。

因为哪怕是扑街的材料，和ITIC结合，器件性能也有8.72，最后拿出来水一篇ACSAMI还是没什么问题的。

第四，博后学姐的FNICIN体系，被许秋简称为FNIC，效率最高可达9.64，最优的匹配给体为窄带隙的PCE10，而非宽带隙的H22系列。

许秋推断可能是分子共轭长度延长，光吸收范围会向近红外的方向移动，以至于和窄带隙的材料形成互补的光吸收。

他顺手让模拟实验人员测了一个光吸收光谱，得以验证，IDTICIN、ITIC、FNIC的共轭长度分别为5、7、9，光吸收的范围大致各为550750、600800、650850，也就是共轭长度每提高2，光吸收大约红移50纳米。

除了得出了四个结论外，许秋还顺便想出了接下来的优化方向。

第一优先级，合成IDTTICIN4F、IDTTICINDM和FNICIN4F，分别被他简称为IT4F、ITDM和FN4F。